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随着制备技术的进步,在需求的不断拉动下,碳化硅(SiC)器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车,可再生能源及储能等应用领域的发展,更是不容小觑。

富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务,为客户打造个性化的解决方案,并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域,富昌电子结合自身的技术积累和项目经验,落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。

 

SiC设计分享系列(一 ):SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨

碳化硅器件与硅器件相比,在材料、结构等方面有所不同,在器件特性上也存在一些差异,因此不能简单的用现有的Si基功率器件的驱动方法来直接驱动SiC功率器件。SiC功率器件的驱动需要更多的设计考虑。在驱动设计中,驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)关系到SiC MOSFET在应用过程中的可靠性,功率损耗(导通电阻),以及驱动电路的兼容性等。这是SiC MOSFET非常关键的参数,在设计过程中需要重点考虑。在不同的设计中,设置不同的驱动电压会有更高的性价比......

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SiC设计分享系列(二): SiC MOSFET驱动设计之寄生导通问题探讨

通常来说,对于MOSFET器件,门极的电容反馈有可能会导致半导体器件产生误导通动作。对于SiC MOSFET来讲,尤其需要考虑米勒电容所带来的电容反馈。由米勒效应带来的电容反馈可能会导致管子的误动作,更有甚者可能导致上下管直通,引起短路现象的发生,以至损坏功率器件,为了减少器件误差发的概率,提升产品的可靠性,我们从器件层面和应用层面触发,考虑对应的措施和方法......

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SiC设计分享系列(三): SiC Mosfet 和Si Mosfet寄生电容的损耗分析

我们都知道开关电源的频率越高,每秒开关管改变状态的次数就越多,开关损耗和与开关频率成正比。开关电源中所有与开关频率有关的损耗,最显著的往往是开关管自身产生的损耗。本文从MOSFET的寄生电容的角度,结合BOOST PFC电路对Si MOSFET和SiC MOSFET在电路中的损耗展开对比分析,进而深入研究SiC MOSFET在应用中的优势......

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SiC设计分享系列(四):SiC MOSFET设计之desat设计探讨(待更新)

对于能量转换的大功率应用,碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT和Mosfet 相比具有许多优势,包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是,SiC MOSFET 也存在自己的一系列难点,包括短路可靠性、高频应用中的瞬时振荡。常见的电流保护措施,是用电流传感器进行精确的过电流保护,而把Desat保护视为第二次保护措施。在特殊故障情况(例如桥式直通或逆变器在滤波器前输出端对地短路等)在线电流传感器无法检测到这类故障,desat保护就成为保护功率器件最重要的措施......

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SiC设计分享系列(五):SiC MOSFET设计之EMI改善方案
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SiC设计分享系列(六):SiC应用之ESS方案设计
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SiC设计分享系列(七):SiC应用之电机驱动方案设计
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