text.skipToContent text.skipToNavigation

制造商型号

IR2110PBF

IR2110 系列 双 20 V 2.5 A 通孔 高边和低边 驱动器 - DIP-14

ECAD模型:
制造商: Infineon
标准包装:
Product Variant Information section
Date Code: 2142
Product Specification Section
Infineon IR2110PBF - 属性参数
Attributes Table
Configuration: High and Low Side
No of Outputs: Dual
Peak Output Current: 2A
Supply Voltage-Max: 20V
Rated Power Dissipation: 1.6W
Quiescent Current: 180µA
Turn-off Delay Time: 94ns
Turn-on Delay Time: 120ns
Rise Time: 25ns
Fall Time: 17ns
Operating Temp Range: -40°C to +125°C
封装类型:  PDIP-14
安装方式: Through Hole
$特性和应用

国际整流器公司(IR)是高级电源管理技术的先驱和全球领导者,产品涵盖了从数字、模拟和混合信号IC到高级电路器件、电源系统及元器件。世界领先的计算机、家电、汽车、消费电子和防御系统的制造商依靠IR技术来推动其产品的性能和效率。今天,电源管理技术比以往任何时候都发挥着更加重要的作用,可以节省世界上日益减少的能源储备,同时克服了艰难的技术障碍。

IGBT具有双极晶体管的输出开关和传导特性,但与MOSFET一样受电压控制。一般情况下,这意味着它具有双极型的高电流处理能力,也具有控制MOSFET的简便性等优点。但IGBT仍然具有较大的电流尾巴和无体漏二极管的缺点。

MOSFET是电压控制而非电流控制的器件。MOSFET具有正温度系数,可防止热失控。导通状态电阻没有理论上的限制,因此导通状态的损耗可能更低。MOSFET具有体漏二极管,在处理有限的续流电流时非常有效。

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。专有的HVIC和防闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与低至3.3 V逻辑的标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,实现了最低的驱动器跨导。可以实现传播延迟的匹配,以简化高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动工作于高达500或600伏、高压侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。

IR2110采用14引脚PDIP封装,可以在高达+500 V或 +600 V时全面运行,能够承受负瞬态电压,栅极驱动电源电压范围为10至20 V,与3.3 V逻辑兼容。

Pricing Section
全球库存:
25,595
美国仓库 (线上独占库存):
25,595
59,610
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
26 周
起订量:
1
递增量:
1
总价
¥ 14.80
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
1
¥14.797
40
¥14.395
150
¥13.9928
500
¥13.6712
2,000+
¥12.9474
Product Variant Information section