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制造商型号

DMG1029SV-7

DMG1029SV 系列 60 V 1.7 Ohm N & P沟道 增强型 Mosfet - SOT-563

ECAD模型:
制造商: Diodes Incorporated
标准包装:
Date Code: 2318
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG1029SV-7 - 属性参数
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V/-60V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.7Ω/4Ω
Rated Power Dissipation: 450|mW
Qg Gate Charge: 0.3nC/0.28nC
封装类型:  SOT-563
安装方式: Surface Mount
Pricing Section
全球库存:
3,288,000
新加坡仓库:
2,727,000
美国仓库 (线上独占库存):
561,000
在途:
0
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
8 周
起订量:
3000
递增量:
3000
总价
¥ 2,189.70
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
3,000
¥0.7299
9,000
¥0.7013
12,000
¥0.6939
30,000
¥0.671
45,000+
¥0.6498