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现货数量: 192,000

在途数量: 0
工厂库存:工厂库存: 0
工厂货期: N/A
起订量: 1
递增量: 1
数量 价格
1 ¥4.8402
250 ¥3.9126
500 ¥3.7916
1,000 ¥3.6705
2,500+ ¥3.5092
总价:

¥ 4.84

CNY

所有价格均包含16%增值税。

属性
Attributes Table
Fet Type Dual N-Ch
No of Channels 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 55V
Drain-Source On Resistance-Max 50mΩ
Rated Power Dissipation 2W
Qg Gate Charge 24nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
Drain Current 4.7A
Turn-on Delay Time 8.3ns
Turn-off Delay Time 32ns
Rise Time 3.2ns
Fall Time 13ns
Operating Temp Range -55°C to +150°C
Gate Source Threshold 1V
Technology Generation V
Input Capacitance 740pF
特性和应用

IRF7341TRPBF是IR的第五代HEXFET产品,它采用先进的工艺技术制造,能够实现极低的硅导通电阻。这种优势加上快速的转换速率和以坚固耐用著称的HEXFET功率MOSFET器件设计,为设计人员提供了极其高效可靠、应用广泛的器件。

通过定制引线框架对SO-8进行了修改,以增强散热性,多裸晶能力使其成为各种电源应用的理想选择。通过这些改进,可将多个器件用于电路板空间大幅减少的应用中。该封装设计用于气相、红外线或波峰焊接技术。典型PCB贴装应用中的功耗可能高于0.8 W。更多详细信息请参阅上面的数据手册。

IRF7341TRPBF采用SO-08封装,TR表示以卷盘供应,PBF表示无铅。