
制造商型号
NTR5198NLT1G
N-沟道 60 V 155 mΩ 900 mW 5.1 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23
Product Specification Section
onsemi NTR5198NLT1G - 产品规格
onsemi NTR5198NLT1G - 属性参数
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 155mΩ |
Rated Power Dissipation: | 1.5|W |
Qg Gate Charge: | 5.1nC |
封装类型: | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
安装方式: | Surface Mount |
Pricing Section
全球库存:
0
新加坡仓库:
0
工厂货期:
26 周
数量
价格
3,000
¥0.5718
9,000
¥0.5496
15,000
¥0.5398
30,000
¥0.5267
60,000+
¥0.507
Product Variant Information section
可提供的包装方式
标准包装数量:
3000/卷盘
封装类型:
SOT-23 (SC-59,TO-236)
安装方式:
Surface Mount