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现货数量: 382

在途数量: 0
工厂库存:工厂库存: 0
工厂货期: N/A
起订量: 25
递增量: 1
数量 价格
25 ¥11.653
100 ¥8.9205
250 ¥8.4383
500 ¥8.1169
1,000+ ¥7.5141
总价:

¥ 291.32

CNY

所有价格均包含16%增值税。

属性
Attributes Table
Fet Type Dual N-Ch
No of Channels 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 150V
Drain-Source On Resistance-Max 95mΩ
Rated Power Dissipation 18W
Qg Gate Charge 20nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
Drain Current 8.7A
Turn-on Delay Time 7ns
Turn-off Delay Time 13ns
Rise Time 6.6ns
Fall Time 3.1ns
Operating Temp Range -55°C to +150°C
Gate Source Threshold 4.9V
Technology Si
Height - Max 9.8mm
Length 10.63mm
Input Capacitance 810pF
特性和应用

IR通过IRFI4019H-117P 系列提供了采用MOSFET技术的重要先例。该经济高效的技术在效率和可靠性方面都增强了系统性能。MOSFET系列以其快速开关速度而著称,在高功率及高电流应用中都提供了出色的解决方案,并优化了开关性能。

该技术提供的耐用性与其低封装成本相结合,使MOSFET成为所有商业、工业应用的普遍首选。该强大的设计非常适用于需要大量电能的应用。

IR通过在其MOSFET系列中提供优越的性能、以及更高的效率、更低的传导损耗和更高的功率密度,提供了独特的技术解决方案。IR以其行业领先的质量为后盾,致力于满足不断增长的客户需求,其产品适用于AC-DC服务器、笔记本电脑适配器、桌面电源等。

IRFI4019H-117P是商业和工业应用的完美选择,能够在150摄氏度的工作温度范围内工作于150 V,并最终实现了较低的电阻(RDS (on)=80 mΩ)。根据重复雪崩额定值,IRFI4019H-117P能够将功耗值降低至约18瓦。IRFI4019H-117P以TO-220封装形式实现了高速、高效率以及低导通电阻和高成本效益。