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制造商型号

SI2301CDS-T1-GE3

P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM @ 4.5V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

Product Specification Section
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 - 属性参数
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.112Ω
Rated Power Dissipation: 1.6|W
Qg Gate Charge: 10nC
封装类型:  SOT-23 (SC-59,TO-236)
安装方式: Surface Mount
Pricing Section
全球库存:
339,000
美国仓库 (线上独占库存):
339,000
6,000
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
10 周
起订量:
3000
递增量:
3000
总价
¥ 2,596.50
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
3,000
¥0.8655
9,000
¥0.8325
12,000
¥0.8234
30,000
¥0.797
45,000+
¥0.7707