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制造商型号

IXTK200N10L2

IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264

ECAD模型:
制造商: IXYS
标准包装:
Product Variant Information section
Date Code: 2102
Product Specification Section
属性参数
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 11mΩ
Rated Power Dissipation: 1040|W
Qg Gate Charge: 115nC
封装类型:  TO-264
安装方式: Through Hole
Pricing Section
全球库存:
0
新加坡仓库:
0
在途:
0
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
24 周
起订量:
25
递增量:
25
总价
¥ 4,853.44
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
25
¥194.1375
50
¥162.0004
75
¥159.0058
100
¥156.8876
125+
¥155.2808
Product Variant Information section