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制造商型号

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS 系列 N沟道 20 V 0.156 Ohm 功率Mosfet 表面贴装 - TO-236-3

ECAD模型:
制造商: Vishay
标准包装:
Product Variant Information section
Date Code:
Product Specification Section
属性参数
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.156Ω
Rated Power Dissipation: 1.66|W
Qg Gate Charge: 2.3nC
封装类型:  SOT-23 (SC-59,TO-236)
安装方式: Surface Mount
Pricing Section
全球库存:
0
新加坡仓库:
0
594,000
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
N/A
起订量:
3000
递增量:
3000
总价
¥ 39,457.80
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
3,000+
¥13.1526
Product Variant Information section