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制造商型号

IR2117STRPBF

IR2117S 系列 单 20 V 250 mA 表面贴装 高边和低边 驱动器 SOIC-8

ECAD模型:
制造商: Infineon
标准包装:
Product Variant Information section
Date Code: 2216
Product Specification Section
Infineon IR2117STRPBF - 属性参数
Attributes Table
Configuration: High and Low Side
No of Outputs: Single
Peak Output Current: 250mA
Supply Voltage-Max: 20V
Rated Power Dissipation: 625W
Quiescent Current: 340µA
Turn-off Delay Time: 105ns
Turn-on Delay Time: 125ns
Rise Time: 130ns
Fall Time: 65ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
封装类型:  SOIC-8
安装方式: Surface Mount
$特性和应用

IR2117STRPBF 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和防锁存CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,实现了最低的驱动器跨导。浮动通道可用于驱动工作电压高达600 V的高压侧或低压侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。

特性:

  • 设计用于自举工作(Bootstrap Operation)的浮动通道
  • 电压高达+600 V时可全面运行
  • 可承受负瞬态电压
  • 抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源电压范围为10 V至20 V
  • 欠压锁定
  • 带下拉的CMOS施密特触发输入
  • 输出与输入同相位
  • 无铅
IR2117PBF是一款单通道驱动器,采用SOIC-8N封装,以卷盘出货。
Pricing Section
全球库存:
45,000
美国仓库 (线上独占库存):
45,000
27,500
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
N/A
起订量:
2500
递增量:
2500
总价
¥ 22,115.00
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
2,500
¥8.846
5,000
¥8.7656
7,500+
¥8.6047
Product Variant Information section