制造商型号
IR2117STRPBF
IR2117S 系列 单 20 V 250 mA 表面贴装 高边和低边 驱动器 SOIC-8
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| 制造商: | Infineon | ||||||||||
| 标准包装: | Product Variant Information section 可提供的包装方式标准包装数量：2500/卷盘 封装类型：SOIC-8 安装方式：Surface Mount | ||||||||||
| Date Code: | 2230 | ||||||||||
Infineon IR2117STRPBF - 产品规格
发货信息:
ECCN:
产品变更通知:
Change of wafer production from Infineon Technologies Americas Corp., Temecula CA., USA to Silicon Foundry Vanguard International Semiconductor Corporation, Taiwan for HVIC Gen 1 and Gen 2 wafers NewWafer fab: Silicon Foundry Vanguard International Semiconductor Corporation, Taiwan, 8" wafer Wafer sort: ETREND Hightech Corp., Taiwan
Introduction of 2nd source reel supplier at Hana Semiconductor (Ayutthaya) Co., Ltd.New-1st source : C-Pak Pte Ltd and 2nd source : Chien Pang Enterprises Co.,LtdThere is no change in form, fit and functionNo change in tape and reel process or handling at customer side expectedBoth suppliers are fully qualified
元器件状态:
Infineon IR2117STRPBF - 属性参数
| Configuration: | High and Low Side |
| No of Outputs: | Single |
| Peak Output Current: | 250mA |
| Supply Voltage-Max: | 20V |
| Rated Power Dissipation: | 625W |
| Quiescent Current: | 340µA |
| Turn-off Delay Time: | 105ns |
| Turn-on Delay Time: | 125ns |
| Rise Time: | 130ns |
| Fall Time: | 65ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| 封装类型： | SOIC-8 |
| 安装方式： | Surface Mount |
特性和应用
IR2117STRPBF 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和防锁存CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，实现了最低的驱动器跨导。浮动通道可用于驱动工作电压高达600 V的高压侧或低压侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特性：
- 设计用于自举工作（Bootstrap Operation）的浮动通道
- 电压高达+600 V时可全面运行
- 可承受负瞬态电压
- 抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源电压范围为10 V至20 V
- 欠压锁定
- 带下拉的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相位
- 无铅
可提供的包装方式
标准包装数量：
2500/卷盘
封装类型：
SOIC-8
安装方式：
Surface Mount