制造商型号
NVD6416ANLT4G-VF01
NVD6416ANL 系列 100 V 19 A 74 mOhm 表面贴装 N-沟道 功率 MOSFET - DPAK-3
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| 制造商: | onsemi | ||||||||||
| 标准包装: | Product Variant Information section 可提供的包装方式标准包装数量：2500/卷盘 封装类型：TO-252-3 (DPAK) 安装方式：Surface Mount | ||||||||||
| Date Code: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVD6416ANLT4G-VF01 - 产品规格
onsemi NVD6416ANLT4G-VF01 - 属性参数
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 74mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 71W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 19A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 35ns |
| Rise Time: | 16ns |
| Fall Time: | 40ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Height - Max: | 2.38mm |
| Length: | 6.73mm |
| Input Capacitance: | 700pF |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
Pricing Section
全球库存:
0
美国仓库 (线上独占库存):
0
工厂货期：
17 周
数量
价格
2,500
¥3.9975
5,000
¥3.915
7,500
¥3.8739
10,000+
¥3.8326
Product Variant Information section
可提供的包装方式
标准包装数量：
2500/卷盘
封装类型：
TO-252-3 (DPAK)
安装方式：
Surface Mount