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制造商型号
NTJD4001NT1G
NTJD 系列 双 N-沟道 30 V 1 Ohm 272 mW 表面贴装 小信号 MOSFET - SOT-363
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| 制造商: | onsemi | ||||||||||
| 标准包装: | Product Variant Information section 可提供的包装方式
标准包装数量：3000/卷盘 封装类型：SOT-363 (SC-70-6, SC-88) 安装方式：Surface Mount | ||||||||||
| Date Code: | 2242 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTJD4001NT1G - 产品规格
onsemi NTJD4001NT1G - 属性参数
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1Ω |
| Rated Power Dissipation: | 272|mW |
| Qg Gate Charge: | 1.3nC |
| 封装类型： | SOT-363 (SC-70-6, SC-88) |
| 安装方式： | Surface Mount |
特性和应用
The NTJD4001NT1G is a part of NTJD4001N series dual N−channel MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in SOT-363 package.
Features:
- Low Gate Charge for Fast Switching
- Small Footprint−30% Smaller than TSOP−6
- ESD Protected Gate
- Pb−Free Package is Available
Applications:
- Low Side Load Switch
- Li-Ion Battery Supplied Devices - Cell Phones, PDAs, DSC
- Buck Converters
- Level Shifts
View the available family of dual N−channel MOSFET
Pricing Section
全球库存:
3,000
新加坡仓库:
3,000
在途：
0
工厂货期：
12 周
数量
单价
3,000
¥0.6305
6,000
¥0.6207
12,000
¥0.6101
15,000
¥0.6068
45,000+
¥0.5873
Product Variant Information section
可提供的包装方式
- 卷盘 数量: 12,000+ / 单价: ¥0.6305 / 现货数量：0 数量： 3,000+¥0.6305 现货数量： 0
- 卷盘 数量: 12,000+ / 单价: ¥0.6305 / 现货数量：0 数量： 3,000+¥0.6305 现货数量： 0
- 卷盘 数量: 12,000+ / 单价: ¥0.6305 / 现货数量：0 数量： 3,000+¥0.6305 现货数量： 0
- 卷盘Selected Variant 数量: 3,000+ / 单价: ¥0.6305 / 现货数量：3,000 数量： 3,000+¥0.6305 现货数量： 3,000
- 卷盘 数量: 12,000+ / 单价: ¥0.6305 / 现货数量：0 数量： 3,000+¥0.6305 现货数量： 0
标准包装数量：
3000/卷盘
封装类型：
SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
安装方式：
Surface Mount