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现货数量: 4,000

在途数量: 0
工厂库存:工厂库存: 0
工厂货期: N/A
起订量: 4,000
递增量: 4,000
数量 价格
4,000+ ¥2.1325
总价:

¥ 8,530.00

CNY

所有价格均包含16%增值税。

属性
Attributes Table
Fet Type N-Ch
No of Channels 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 30V
Drain-Source On Resistance-Max 0.046Ω
Rated Power Dissipation 2W
Qg Gate Charge 33nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
Drain Current 6.5A
Turn-on Delay Time 8.1ns
Turn-off Delay Time 26ns
Rise Time 8.9ns
Fall Time 17ns
Operating Temp Range -55°C to +150°C
Gate Source Threshold 1V
Technology Generation V
Height - Max 1.5mm
Length 5mm
Input Capacitance 650pF
特性和应用

IRF7313TRPBF是IR的第五代HEXFET产品,它采用先进的工艺技术制造,能够实现极低的硅导通电阻。这种优势加上快速的转换速率和以坚固耐用著称的HEXFET功率MOSFET器件设计,为设计人员提供了极其高效可靠、应用广泛的器件。通过定制引线框架对SO-8进行了修改,以增强散热性,多裸晶能力使其成为各种电源应用的理想选择。通过这些改进,可将多个器件用于电路板空间大大减小的应用中。该封装设计用于气相、红外线或波峰焊接技术。更多详细信息请参阅上面的数据手册。IRF7313TRPBF是一款30 V的双N沟道HEXFET功率MOSFET,采用SO-8封装,TR表示以卷盘供应,PBF表示无铅。