Microchip | SST25VF016B-50-4C-S2AF

SST的25系列串行闪存系列采用四线、SPI兼容的接口，实现了占用更少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低了总体系统成本。与原来的SST25VFxxxA器件相比，SST25VF016B器件是增强版本，提高了工作频率，并实现了更低的功耗。SST25VF016B SPI串行闪存存储器采用SST专有的、高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。

SST25VF016B器件可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。SST25VF016B使用2.7至3.6 V电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。

SST25VF016B器件提供8引脚SOIC（200 mil）和8触点WSON（6 mm x 5 mm）封装。