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制造商型号

IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L 系列 75 V 20.5 mOhm N沟道 OptiMOS® 功率-晶体管 - PG-TO252-3-11

ECAD模型:
制造商: Infineon
标准包装:
Product Variant Information section
Date Code: 2301
Product Specification Section
Infineon IPD30N08S2L21ATMA1 - 属性参数
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 75V
Drain-Source On Resistance-Max: 20.5mΩ
Rated Power Dissipation: 136|W
Qg Gate Charge: 56nC
封装类型:  TO-252-3 (DPAK)
安装方式: Surface Mount
Pricing Section
全球库存:
10,000
美国仓库 (线上独占库存):
10,000
在途:
0
工厂库存:工厂库存:
0
工厂货期:
12 周
起订量:
2500
递增量:
2500
总价
¥ 13,689.75
CNY

所有价格均包含13%增值税。

数量
价格
2,500
¥5.4759
5,000+
¥5.2716
Product Variant Information section