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制造商型号
IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L 系列 75 V 20.5 mOhm N沟道 OptiMOS® 功率-晶体管 - PG-TO252-3-11
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| 制造商: | Infineon | ||||||||||
| 标准包装: | Product Variant Information section 可提供的包装方式标准包装数量：2500/卷盘 封装类型：TO-252-3 (DPAK) 安装方式：Surface Mount | ||||||||||
| Date Code: | 2301 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPD30N08S2L21ATMA1 - 产品规格
Infineon IPD30N08S2L21ATMA1 - 属性参数
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 75V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 136|W |
| Qg Gate Charge: | 56nC |
| 封装类型： | TO-252-3 (DPAK) |
| 安装方式： | Surface Mount |
Pricing Section
全球库存:
10,000
美国仓库 (线上独占库存):
10,000
在途：
0
工厂货期：
12 周
数量
单价
2,500
¥5.6001
5,000+
¥5.4765
Product Variant Information section
可提供的包装方式
标准包装数量：
2500/卷盘
封装类型：
TO-252-3 (DPAK)
安装方式：
Surface Mount